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Campo DC Valor Lengua/Idioma
dc.contributor.advisorSuntivich, Jin-
dc.contributor.advisorVan Dover, Bruce-
dc.contributor.authorHerrera Flores, Rocío Cristina-
dc.date.accessioned2017-12-01T14:35:11Z-
dc.date.available2017-12-01T14:35:11Z-
dc.date.issued2015-05-20-
dc.identifier.citationHerrera Flores, Rocío Cristina. (2015). Propiedades de conducción eléctrica de un modelo simplificado de transistor efecto campo sensitivo a iones. (Trabajo de titulación de la Maestría en Ciencias e Ingeniería de Materiales). Nueva York. Universidad de Cornell. 37 p.es_ES
dc.identifier.urihttp://repositorio.educacionsuperior.gob.ec/handle/28000/5080-
dc.descriptionWith the constant development of smaller, lighter, and more efficient electronic circuits; research efforts focus on develop new circuits and structures with a variety of new materials that could be use with or in place of traditional semiconductors such as silicon. The present project designed a model of a simplified electrolyte-gated field effect transistor to explore to what extent electrolyte solutions are capable to induce carriers in a semiconductor substrate affecting the overall conduction properties of the device, as function of the gate voltage applied and the electrolyte concentration. This project first characterized the device following a sample preparation method particularly easy; using silicon as the semiconductor, titanium wires as drain and source contacts, potassium chloride (KCl) as the electrolyte-gate and Ag/AgCl as the reference electrode.es_ES
dc.format.extent37 p.es_ES
dc.language.isoenges_ES
dc.publisherNueva York: Universidad de Cornelles_ES
dc.subjectSEMICONDUCTORESes_ES
dc.subjectELECTRONIC PROPERTIESes_ES
dc.subjectELECTROLYTE-GATEDes_ES
dc.subjectCHARACTERIZATIONes_ES
dc.titlePropiedades de conducción eléctrica de un modelo simplificado de transistor efecto campo sensitivo a ioneses_ES
dc.typemasterThesises_ES
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